2026年2月，全球芯片行业聚焦存储芯片供需失衡、巨头业绩波动及技术迭代，同时国产芯片持续突破，地缘政治影响仍在延续，行业呈现“挑战与机遇并存”的格局。

存储芯片领域，短缺与涨价成为核心关键词。2月1日，三星电子率先宣布大幅上调NAND闪存芯片价格，涨幅高达100%，正式开启存储芯片新一轮超级周期，美光、铠侠等国际存储巨头计划跟进提价。英特尔CEO陈立武更是在思科会议上表示，内存芯片短缺问题至少到2028年前不会缓解，目前尚无有效缓解措施，这一判断较此前市场预期延后2-3年，凸显本轮供需失衡的严重性。受此影响，全球手机厂商面临成本压力，纷纷削减订单，进一步传导至芯片巨头业绩。

芯片巨头方面，美股财报季传来利空消息。2月5日，美国芯片巨头高通在美股盘前交易中股价一度暴跌超12%，截至发稿跌幅仍达11.18%，核心原因是其发布的2026财年第二财季业绩指引不及市场预期，手机芯片收入指引降至60亿美元。高通高管解释，AI数据中心对存储需求的抬升，挤压了手机厂商的供给与成本空间，多家厂商已减少手机生产计划并清理渠道库存，这种影响可能贯穿本财年剩余时间。同日，英国芯片设计巨头Arm股价亦一度大跌超8%，尽管其第三财季营收略超预期，但作为未来设计采用率关键指标的许可收入不及预期，引发市场抛售。此外，功率半导体巨头英飞凌于2月5日宣布，自2026年4月1日起上调功率开关及相关芯片价格，应对供给紧张与成本攀升压力。

技术迭代与产能布局同步推进。2月1日，英伟达在GTC 2026特别活动中发布新一代HBM3e内存芯片，单颗容量达64GB，带宽提升40%至1.2TB/s，功耗降低25%，适用于AI训练与高性能计算场景，并计划与台积电合作扩大产能，预计2026年Q3批量出货。英特尔则宣布投资400亿美元在美国扩建晶圆厂，聚焦2nm及更先进制程，预计2028年全面投产，同时与美光合作研发2nm级内存与逻辑芯片集成技术，提升本土制造能力。此外，英特尔计划与软银旗下子公司Saimemory合作，开发名为ZAM的下一代内存新技术，单芯片最高容量可达512GB，功耗较当前主流HBM内存降低40%至50%，有望重塑AI时代内存市场格局。台积电方面，计划在日本熊本建设第二座工厂，量产3纳米芯片，满足AI芯片激增的需求，投资额约170亿美元，同时宣布2026年继续提升7纳米以下先进制程报价，涨幅预计达3%-10%，这是其连续第四年涨价。

国产芯片领域持续突破，同时面临外部约束。1月30日，芯动科技发布全球首款120通道PCIe Gen5交换芯片GX9120，采用12nm工艺制造，带宽达3.84TB/s，打破海外垄断，已获得多家头部服务器厂商订单。同日，阿里平头哥真武PPU芯片总出货量超数十万片，领跑国产GPU市场，该芯片性能对标英伟达H20，已服务400多家头部客户。澜起科技于1月30日开启港股招股，拟募资加码HBM内存接口芯片与AI芯片业务，实现“A+H”上市布局，其DDR5内存缓冲器芯片市占率超40%。此外，国科微、中微半导等国产芯片厂商密集涨价，应对供应缺口与成本压力，其中国科微合封KGD芯片最高涨幅达80%。但外部约束仍存，1月31日，美国商务部扩大AI芯片出口管制，将3家中国AI芯片设计企业列入实体清单，限制其获取先进制程与关键技术，同时英伟达H200芯片对华销售因美方安全审查陷入停滞，增加行业不确定性。